寬能隙功率元件與材料研討會

上課地址:工研院中興院區78館209會議室

時數:3

起迄日期:2018-09-27~2018-09-27

聯絡資訊:蕭素貞/03-5917510

報名截止日:2018-09-25

課程類別:研討會

活動代碼:5118080001

課程介紹

有鑑於寬能隙功率元件與材料的研發與應用對產業發展之重要,工研院舉辦「寬能隙功率元件」研討會,邀請環球晶圓公司顧問劉哲銘博士針對矽基板與氮化鎵各項應用之關聯,講述適用氮化鎵磊晶矽基板之開發與研究進展;在功率元件應用方面,則由此研究領域富有盛名的交通大學副校長張翼博士演講高效能增強型氮化鎵MIS-HEMT的研究與進展;而寬能矽的另一發展重點-碳化矽,將由嘉晶電子公司處長宣融博士分享碳化矽磊晶與元件技術。

課程對象

光電半導體產官學研專業人士

課程大綱


13:00~13:30 報 到
13:30~13:40 致詞 駱韋仲組長/工研院
13:40~14:20 High-performance E-mode GaN MIS-HEMT for Power Switching Applications 張翼副校長/交通大學
14:20~15:00 適用氮化鎵磊晶之矽基板研究與發展 劉哲銘顧問/環球晶圓
15:00~15:20 Break
15:20~16:00 SiC Technology and Application 宣融處長/嘉晶電子
16:00~16:20 綜合討論

附件

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