由於寬能隙功率半導體開關速度太快,任何測量方法都會引進雜散電路而影響測量的準確度。本課程將介紹寬能隙功率半導體之基本原理包括其導通及開關特性及測量方法。討論範圍包括市面上功率半導體之資料手冊及最新寬能隙半導體元件外部特性及驅動電路及封裝對開關特性的影響。主要元件種類以金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)及高電子移動率電晶體(HEMT)。課程也將介紹如何有效地將這些半導體應用到電路系統。在電路設計方面,本課程將介紹寬能隙半導體元件驅動及保護、雜散電路元件的影響、導體電路佈線及散熱考量、寬能隙功率半導體之實際電路設計及應用實例。
功率半導體元件、再生能源、電力電子、馬達驅動、電源供應器、車用充電器、不斷電裝置系統、及電機製造業等相關產業。
研發工程師、產品設計師、生產製造工程師、研究員、品管測試工程師
具基本電路概念、電力電子電路分析、基本半導體特性等相關技術背景
賴日生 博士,
現任:美國維吉尼亞理工大學講座教授, IEEE Fellow, 論文五百餘篇
國立陽明交通大學玉山學者客座講座教授
美國傅爾布萊特學者Fulbright Specialist
經歷:美國Oak Ridge國家實驗室首席工程師
美國電力研究所電力電子應用中心經理
Honda Motor, Texas Instruments, Tau Motor 顧問
專長:電機控制/電力電子/能源電子/變頻器設計
上課日期:113年4月29日(週一) AM9:00~PM 4:00
113年4月30日(週二) AM9:00~PM12:00
上課地點:新竹縣竹東鎮中興路四段195號 (工研院中興院區)
費 用:8,800元 (於3/25日前報名享優惠價8,500元/人,同公司三人以上(含)報名享7,500元/人)
日 期
內 容 大 綱
時 數
113/4/29
至
113/4/30
1. 寬能隙半導體元件概論及最新發展
2. 寬能隙功率半導體元件之導通特性
3. 碳化矽元件之驅動電路及開關特性
4. 氮化鎵元件之驅動電路及開關特性
5. 氮化鎵元件用於flyback converter電路設計實例
6.氮化鎵元件用於功因修正電路設計實例
9 小時
演講、討論
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