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　　由於寬能隙功率半導體開關速度太快，任何測量方法都會引進雜散電路而影響測量的準確度。本課程將介紹寬能隙功率半導體之基本原理包括其導通及開關特性及測量方法。討論範圍包括市面上功率半導體之資料手冊及最新寬能隙半導體元件外部特性及驅動電路及封裝對開關特性的影響。主要元件種類以金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)及高電子移動率電晶體(HEMT)。課程也將介紹如何有效地將這些半導體應用到電路系統。在電路設計方面，本課程將介紹寬能隙半導體元件驅動及保護、雜散電路元件的影響、導體電路佈線及散熱考量、寬能隙功率半導體之實際電路設計及應用實例。

1. 學習電力電子設計所需知道的寬能隙功率半導體元件之基本原理、導通及開關特性。
2. 瞭解最新寬能隙半導體元件特性及電路模型。
3. 瞭解如何閱讀資料手冊上半導體的特性及判斷其適用的電路。
4. 學習如何測試寬能隙功率半導體元件之導通及開關特性。
5. 學習寬能隙功率半導體元件驅動及保護電路設計。
6. 區分d-mode及 e-mode HEMT之不同。
7. 區分cascode及 direct drive之不同。
8. 學習寬能隙半導體元件元件實際電路設計及應用實例。

功率半導體元件、再生能源、電力電子、馬達驅動、電源供應器、車用充電器、不斷電裝置系統、及電機製造業等相關產業。

研發工程師、產品設計師、生產製造工程師、研究員、品管測試工程師

具基本電路概念、電力電子電路分析、基本半導體特性等相關技術背景

賴日生 博士,

現任：美國維吉尼亞理工大學講座教授, IEEE Fellow, 論文五百餘篇

           國立陽明交通大學玉山學者客座講座教授

           美國傅爾布萊特學者Fulbright Specialist

經歷：美國Oak Ridge國家實驗室首席工程師

          美國電力研究所電力電子應用中心經理

          Honda Motor, Texas Instruments, Tau Motor 顧問

專長：電機控制/電力電子/能源電子/變頻器設計

上課日期：113年4月29日(週一)  AM9:00~PM 4:00

                  113年4月30日(週二)  AM9:00~PM12:00

上課地點：新竹縣竹東鎮中興路四段195號 (工研院中興院區)

費       用：8,800元 (於3/25日前報名享優惠價8,500元/人，同公司三人以上(含)報名享7,500元/人)

演講、討論

1.恕不受理現場報名與繳費，敬請事先完成報名繳費手續為荷。 　
2.可使用支票、匯票、匯款或ATM轉帳等方式付款 　
3.支票/匯票抬頭「財團法人工業技術研究院」 　
4.信用卡（線上報名）：繳費方式選「信用卡」，直到顯示「您已完成報名手續」為止，才確實完成繳費。 　
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提醒您：ATM轉帳、匯款繳費者，請於繳費後，將「收據」寫上您的「公司全銜、課程名稱、姓名、聯絡電話」傳真至03-5745074或E-mail至：K422898@itri.org.tw 曾小姐 收；即可完成報名手續。

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• 上課地點，請以「上課通知單」為主。
• 上課前十日(含)若因故退訓，將退還70%課程費用，課程開課後恕不退費或轉課。
• 為尊重講師之智慧財產權益，恕無法提供課程講義電子檔。
• 如本課程因人數或其他因素造成課程取消,本院將無息辦理退費,敬請見諒！

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