全臺最大半導體盛宴「2023 SEMICON TAIWAN」日前盛大舉辦,今年經濟部技術處的「科技專案成果主題館」,一共展出52項前瞻創新技術,囊括工研院等六大法人研發單位,其中不乏多項獨步全球的科技,助攻臺灣半導體持續領航國際。

2023 SEMICON TAIWAN」中,臺灣展出多項獨步全球的科技,2022年半導體產值位居全球第二,反映臺灣在全球科技和製造領域的卓越實力。

「2023 SEMICON TAIWAN」中,臺灣展出多項獨步全球的科技,2022年半導體產值位居全球第二,反映臺灣在全球科技和製造領域的卓越實力。


撰文/陳怡如

全臺最大半導體盛宴「2023 SEMICON TAIWAN」日前盛大舉辦,今年經濟部技術處的「科技專案成果主題館」,一共展出52項前瞻創新技術,囊括工研院等六大法人研發單位,其中不乏多項獨步全球的科技,助攻臺灣半導體持續領航國際。

隨著AI、5G、物聯網及電動車等新興科技崛起,背後扮演中樞角色的核心產業半導體,也呈現火熱的成長趨勢。根據世界半導體貿易統計協會(WSTS)統計,全球半導體預估將於2030年突破1兆美元,臺灣半導體產業位居國際重要地位,2022年半導體產值年成長超過18%,突破新臺幣5兆元,位居全球第二,反映臺灣在全球科技和製造領域的卓越實力。

經濟部技術處處長邱求慧表示,經濟部技術處持續推動半導體AI晶片、化合物半導體及先進材料與設備的應用研發,自2019至2023年已投入超過250億元,積極培育全球關鍵技術及創新服務模式的能力,未來將持續協助產業在先進製程、小晶片、異質整合、化合物半導體、綠能技術等領域,開拓創新技術與國際市場,讓我國半導體產業維持全球領先地位。


全球首創2奈米製程鍍膜設備提升製程效率

半導體生產過程複雜繁瑣,每道製程都需運用特殊設備,但在製程切換時,常遇到傳輸耗時、汙染及品質下降等問題。為此工研院研發全球首創的「複合式原子層鍍膜」(Hy-ALD)設備,可應用至半導體前段鍍膜製程,將多道製程整合為多合一(All-in-One)系統,避免進出腔體多次造成汙染,更能提升25%的製程效率,滿足速度快、低耗電的下世代電晶體及記憶體所需。

這項設備導入10件核心專利技術,提升鍍膜品質和生產速率,還成功突破國外大廠對原子層膜沉積設備的專利屏障,創新技術甫於8月拿下「科技界奧斯卡」2023 R&D 100大獎,在這次大展中更是首度對外展出機台。

此設備不僅證明臺灣有能力開發具國際水準的半導體前段設備,將國產自製率由30%提升至60%以上,維修時也可直接由臺灣廠商服務,將維修時程從7天縮短至1天。目前工研院已與旭宇騰精密科技合作生產,預期未來這款設備將可占據ALD鍍膜市場約10%,相當於新臺幣84億元,為臺灣次世代半導體鍍膜設備供應鏈提供有力支援。


全球最強高效能千瓦級散熱技術

生成式AI在全球掀起一股旋風,隨著各產業對AI與資料中心的需求日益增溫,如何兼具低耗能與高效運算力成為關鍵,業界現在正積極解決高效能運帶來的超高功耗散熱瓶頸。

傳統的散熱元件只能提供400W的散熱能力,工研院攜手一詮精密聯合發表「相變化水冷散熱技術」,針對半導體更小奈米製程的散熱需求,提前部署投入千瓦級高強度的散熱元件,透過開發真空的蒸汽腔體,直接貼附在高效能運算晶片的表面,藉由晶片內的水量蒸發與冷凝,即可達到快速傳熱與大量移除熱量的效果。

這項技術難度極高,同樣也是全球首創,預計今年底散熱能力將推進到1,000瓦。目前這項技術已和一詮精密進行合作,已成功打進美國高效能運算(HPC)晶片大廠供應鏈,將成為未來先進封裝製程的最佳散熱解決方案之一。


小晶片設計打造後摩爾時代關鍵技術

半導體製程多年來依循「摩爾定律」不斷演進,但在製程工藝不停進展下,技術升級愈發困難,製造成本也快速飆升。產業積極尋求其他製造高性能晶片的途徑,其中小晶片(Chiplet)就是被看好的新興技術。

小晶片將整個單晶片系統(SoC)電路拆分成更小、功能特定的設計,並可在不同的製程工藝下製造,最後藉由先進封裝,整合出高效能且低成本的產品,被視為半導體後摩爾時代的關鍵技術。

傳統半導體產業從設計到測試都由不同公司進行,工研院從一個模組化的小晶片單元開始,透過互連界面,最後組合成一個大型的晶片系統,成功發展出從IC設計、晶圓製作、先進封裝到測試的一站式服務能量,開發小晶片應用之關鍵矽智財(IP)。同時與國內知名大廠力積電攜手合作高階異質整合技術,相比傳統架構,記憶體頻寬可提升10倍以上,資料移動能耗降低至十分之一以下,AI加速器成本降低90%。


超高速先進封裝精密線路檢測模組

隨著先進封裝技術持續推進,IC元件也愈來愈精細,當封裝廠進行精密檢測時,檢測特徵點倍增,需要耗費更多時間才能完成。現有平面2D的光學檢測,取像不夠精準,無法判別檢測死角,工研院自主開發3D結構光的檢測方式,先在晶片表面打上已知的結構光,再運算變形狀況,藉此揪出瑕疵異常。

這項技術兼具高精度與高速運算特點,單次掃描1μm精度僅需一秒,大幅縮短既有機台75%量測時間。同時具備多角度投光設計,克服遮蔽與反光問題,讓檢測無死角,可應用於5G晶片、電動車、高效處理器之先進封裝產品,有效解決現有先進封裝自動光學檢測設備僅具備2D形貌檢測功能。


國產碳化矽功率模組搶攻電動車商機

為了提升電動車的續航力及充電效率,擁有高切頻、高效率、耐高壓、耐高溫等特性的碳化矽(SiC),是全球大力投入的新一代化合物半導體材料,導入碳化矽的功率元件和功率模組已是產業不可逆的趨勢。

為了補足臺灣在碳化系功率元件的技術缺口,工研院自主開發1,700V的車用快充碳化矽功率元件,擁有三大技術特點:第一,與國際大廠的設計能Pin to Pin對接,國內廠商可無痛導入系統中;第二,工研院擁有完整的專利布局,未來技轉國內廠商量產時,可將侵權風險降到最低;第三,在模組導入新的結構設計和製程技術,提升30%左右的散熱效果。


Micro LED快速檢測技術提高量測效率

具備低功耗、高對比、廣色域、高亮度等優點於一身的Micro LED,一致被國際大廠視為次世代顯示技術的霸主。臺灣長期仰賴國外檢測設備廠商進行Micro LED的校正量測,一般來說,色度與亮度等性能,都須使用不同機台檢驗,但隨著產品朝向多樣化與大規模量產,單一檢測設備已不敷使用。

工研院結合光學檢測及色彩校正兩項核心要點,成功研發出高準確性的二合一Micro LED顯示模組快速檢測技術。過去Micro LED進行光形檢測時,需透過角度儀進行多角度量測,較費時間,工研院採用立體投光的方式,一次就能把立體光形截取出來,不僅將傳統100度光源角度檢測擴大至120度,更能提升50%的量測效率;在色彩校正上,也能一次量測色彩均勻度,未來能提供客戶各種新產品的客製化檢測。


超高速動態視覺仿生感測技術

高速球體飛出,模型車及時完美閃避,這是工研院研發的「超高速動態視覺仿生感測技術」,在1毫秒內就能判別物體運動軌跡,未來在交通載具上能有效協助動態避障。

為了解決傳統影像攝影機常因物體移動太快,或外在環境光過亮、太暗等問題,而導致拍攝影像模糊,工研院以特殊事件型相機搭配AI人工智慧演算法,可精準運算並追蹤物體移動軌跡,運算時間小於1毫秒,比起國際最佳演算法3.5毫秒更加快速;也因為具備高動態解析度,非常適用於極端的光照環境下。

一般人眨眼與運動反應時間約為100至200 毫秒,這項技術能做出比人類反應速度更快的閃避動作,假設在棒球場上,可閃躲球速超越200公里的棒球,堪稱「永遠不會被大谷翔平打到的機器人」技術。目前AI軟硬整合技術於國內外合作累計的簽約金額超過億元,除了交通應用外,未來還可應用於低照度環境安全監控、高速移動物體偵測、姿態與動作辨識、低功耗與算力嵌入式系統的視覺系統中。