隨著電動車、再生能源、AI 資料中心與 5G/6G 通訊應用蓬勃發展，SiC 與 GaN 等化合物半導體朝向高功率、高頻及高效率邁進，業界對於磊晶製程材料、基板熱管理與元件驗證能量之需求日益迫切。
為強化國內關鍵材料技術實力，經濟部產業發展署委託工研院執行「化合物半導體與元件化材料推動計畫」。本年度除剖析全球發展趨勢，更聚焦於磊晶用 MOCVD 加熱器 SiC 塗層、SiC 單晶基板熱性質及高壓功率元件測試驗證等技術突破，致力鏈結材料至元件端能量。
工研院謹訂於115年10月28日（三）舉辦115年度推動計畫成果發表會，分享年度關鍵研發成果。誠摯歡迎業界先進蒞臨交流，攜手鏈結產業技術新契機。
