突破傳統半導體元件限制,掌握記憶體與功率元件的關鍵技術
隨著人工智慧、高效能運算、電動車、再生能源及智慧化電子系統快速發展,半導體元件除了持續追求微縮與效能提升,也逐步朝向新型材料、元件結構與功能整合發展。面對資料儲存速度、能源消耗、高電壓操作、散熱效率及元件可靠度等需求,傳統矽基半導體元件逐漸面臨材料物理與製程技術的限制,帶動新型記憶體及寬能隙功率半導體技術的快速發展。
本課程聚焦兩項具代表性的半導體元件技術,分別為磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)與碳化矽(Silicon Carbide, SiC)寬能隙功率元件。MRAM結合磁性材料與半導體製程,兼具非揮發性、高速、低功耗及高耐久度等特性,是新世代記憶體的重要發展方向;SiC則憑藉高崩潰電場、高熱導率、低導通損耗及高溫操作能力,成為電動車、能源轉換與高壓功率系統的關鍵元件材料。
課程將分為兩大技術模組,首先介紹MRAM的技術概況、磁性基礎、元件運作機制、製程流程及技術發展;接續說明SiC寬能隙半導體的材料特性、基板與磊晶、元件製程,以及二極體與MOSFET在高電壓應用中的技術特性。透過記憶體與功率元件兩大面向,協助學員建立半導體元件從材料、製程、元件到應用的整體認識。